Để đáp ứng ngày càng cao nhu cầu của người dùng, các nhà sản xuất thiết bị năng lượng mặt trời đã phát triển và mang đến những công nghệ pin năng lượng mặt trời mới có hiệu suất chuyển đổi cao hơn. Và công nghệ Pin mặt trời dị thể HJT là một trong số đó. Hãy cùng chúng tôi tìm hiểu về loại pin này trong bài viết sau bạn nhé!
Pin mặt trời dị thể HJT là gì?
Công nghệ pin mặt trời dị thể HJT là một công nghệ sản xuất tấm pin mặt trời đã được phát triển từ 10 năm về trước. Công nghệ này vượt trội hơn hẳn so với công nghệ PERC – một công nghệ phổ biến trong ngành năng lượng mặt trời hiện nay. Theo các nhà nghiên cứu, công nghệ HJT là một phương pháp hiệu quả nhất của ngành năng lượng mặt trời để tăng hiệu suất và sản lượng điện tạo ra từ hệ thống điện mặt trời.
Công nghệ tấm pin HJT lần đầu tiên được sản xuất vào năm 1980 và cung cấp mức hiệu suất 14,4%. Tuy nhiên cho đến nay, công nghệ HJT đã liên tục được cải tiến và mang đến hiệu suất lên tới 25%.
Cách hoạt động của pin dị thể HJT
Công nghệ dị thể HJT là sự kết hợp của hai công nghệ khác nhau: silicon tinh thể và silicon vô định hình. Trong đó, cấu tạo của pin mặt trời dị thể HJT gồm có ba lớp vật liệu quang điện. Lớp đầu tiên là lớp silicon vô định hình, lớp giữa là lớp silicon đơn tinh thể và lớp dưới cùng là một lớp silicon màng mỏng vô định hình khác. Chức năng của mỗi lớp vật liệu quang điện cụ thể như sau:
Lớp silicon vô định hình trên cùng sẽ bắt các tia sáng mặt trời trước khi chuyển đến lớp silicon đơn tinh thể. Lớp silicon đơn tinh thể ở giữa sẽ chịu trách nhiệm chuyển đổi ánh sáng mặt trời thành điện năng. Còn lớp silicon màng mỏng vô định hình dưới cùng sẽ thu giữ các photon còn lại vượt qua hai lớp đầu tiên.
Với nguyên lý này, tấm pin công nghệ HJT sẽ thu được nhiều năng lượng ánh sáng hơn, giúp chúng đạt được hiệu suất cao hơn so với công nghệ pin mặt trời truyền thống.
Ưu điểm của công nghệ pin mặt trời HJT
So với công nghệ pin mặt trời truyền thống như PERC, pin mặt trời HJT cung cấp nhiều ưu điểm vượt trội bao gồm:
- Hiệu suất cao hơn: Các tấm pin công nghệ HJT được kết hợp từ hai công nghệ khác nhau nên mang đến hiệu suất cao hơn. Hầu hết các tấm pin HJT trên thị trường đều có hiệu suất dao động từ 19,9% – 21,7%, cao hơn so với nhiều tấm pin thông thường khác.
- Tuổi thọ trung bình cao hơn: Thông thường, các tấm pin công nghệ truyền thống sẽ có tuổi thọ trong khoảng 25 năm, trong khi pin mặt trời dị thể HJT có thể hoạt động tốt trong hơn 30 năm.
- Tiết kiệm chi phí hơn: Pin HJT sử dụng một phần vật liệu là silicon vô định hình nên giá thành của chúng sẽ tiết kiệm hơn. Đồng thời, quy trình sản xuất các tấm pin HJT cũng đơn giản hơn, chỉ cần trải qua 8 bước, trong khi tấm pin công nghệ PERC phải trải qua tới 13 bước để hoàn thiện. Điều này giúp làm giảm đáng kể giá thành của một tấm pin HJT.
- Đảm bảo hiệu suất cao ở nhiệt độ cao: Tấm pin mặt trời HJT có hệ số nhiệt độ thấp. Ở nhiệt độ dưới 200°C, tấm pin HJT có thể hoạt động với hiệu suất trên 23%. Vì vậy, pin có thể hoạt động hiệu quả ngay cả ở trong những môi trường có nhiệt độ cao.
Sự phát triển của pin mặt trời HJT trong tương lai
Ngành công nghiệp năng lượng mặt trời đã và đang trải qua nhiều cuộc cách mạng để mang đến hiệu suất ấn tượng nhất cho các tấm pin mặt trời. Để khắc phục những hạn chế của công nghệ pin mặt trời thông thường, công nghệ pin HJT đã kết hợp hai công nghệ silicon tinh thể và silicon vô định hình để gia tăng hiệu quả năng lượng cho các tấm pin.
Và với hiệu suất được cải thiện, tuổi thọ dài hơn, quy trình sản xuất ít bước hơn và chi phí sản xuất rẻ hơn so với công nghệ PERC hiện tại, công nghệ pin mặt trời dị thể HJT có thể sẽ trở thành một lựa chọn phổ biến trong tương lai của ngành năng lượng mặt trời.
Trên đây là những thông tin chi tiết về công nghệ pin mặt trời dị thể HJT. Hi vọng đã giúp bạn đọc có thêm những kiến thức bổ ích. Để cập nhật những công nghệ mới nhất trong ngành điện mặt trời, đừng quên theo dõi dienmattroivietnam.com ngay hôm nay bạn nhé!